“DRAM技术的不断扩展正在推动使用水平电容器堆栈的3D几何结构，”Vincent说道，“水平方向需要横向蚀刻，这很困难，因为凹槽尺寸差异很大。

报告特别指出，2025年第二季度，普通型DRAM（不包括HBM）的价格跌幅预计将显著缩小至5%以内。与此同时，若将HBM纳入考量，整体DRAM的均价则有望上升3%至8%，展现出市场回暖的迹象。

合肥沛顿存储科技有限公司最近获得了国家知识产权局授予的一项名为“高密度垂直堆叠DRAM封装结构、工艺”的专利，此次专利的获批，预计将对智能设备行业产生深远的影响。合肥沛顿存储成立于2020年，是一家从事高科技存储器件研发的企业，注册资本达到了306000万人民币。随着这一专利的授权，合肥沛顿存储将在DRAM市场上占据更为重要的地位。

除了逻辑结构，imec 也成功利用单次曝光，为动态随机存取内存（DRAM）制出把电荷储存节点连接垫（storage node landing pad）与周边位线相互整合的元件 ...

LPW DRAM的结构创新 新型LPW DRAM在设计结构上也进行了创新。通过结合重布线层（RDL）的垂直引线键合方式，取代了传统的引线键合方式，不仅实现了 ...

IT之家 3 月 19 日消息，美光、SK 海力士两大 DRAM 内存原厂今日正式公布了新的 SOCAMM 内存模组。美光称该型内存条将被用于英伟达 GB300 Grace Blackwell Ultra 超级芯片，预计作为 Grace CPU 的可更换内存使用。