报告特别指出，2025年第二季度，普通型DRAM（不包括HBM）的价格跌幅预计将显著缩小至5%以内。与此同时，若将HBM纳入考量，整体DRAM的均价则有望上升3%至8%，展现出市场回暖的迹象。

“DRAM技术的不断扩展正在推动使用水平电容器堆栈的3D几何结构，”Vincent说道，“水平方向需要横向蚀刻，这很困难，因为凹槽尺寸差异很大。

而展望未来，不少投资者们都认为，DRAM价格有可能在今年下半年迎来一波上涨。隔壁的NAND已经率先迎来了复苏。行业玩家闪迪已向客户发出涨价函，宣布自下个月起，旗下产品将全面涨价，整体涨幅超10%。无独有偶，美光、三星、SK海力士等NAND厂商也计划将 ...

【金融界2025年3月22日消息】合肥沛顿存储科技有限公司在国家知识产权局新近发布的公告中炫耀其最新取得的一项专利：名为“高密度垂直堆叠DRAM封装结构、工艺”，这一专利的授权公告号为CN119364775B，申请时间为2024年12月。这不仅标志着合肥沛顿在高密度内存技术的进步，也为未来的存储技术带来了新的想象空间。

在具体实现方面，三星LPW DRAM在内存结构上也进行了创新。该技术采用了结合重布线层（RDL）的垂直引线键合方式，取代了传统的引线键合方法。

【8 月 13 日，SK 海力士计划开发 4F2 结构的 DRAM】 SK 海力士表示，自 1cDRAM 商业化以来，极紫外（EUV）工艺成本快速上升。其指出，现在是质疑使用 ...

除了逻辑结构，imec 也成功利用单次曝光，为动态随机存取内存（DRAM）制出把电荷储存节点连接垫（storage node landing pad）与周边位线相互整合的元件 ...

IT之家 3 月 19 日消息，美光、SK 海力士两大 DRAM 内存原厂今日正式公布了新的 SOCAMM 内存模组。美光称该型内存条将被用于英伟达 GB300 Grace Blackwell Ultra 超级芯片，预计作为 Grace CPU 的可更换内存使用。