近日，澳大利亚悉尼的激光公司BluGlass展示了其单模氮化镓（GaN）激光器的惊人成果：单个激光芯片成功实现1250mW的功率输出，且同时维持单空间模式。这一成果不仅创下了商业领域与学术界的公开纪录，更标志着激光技术在可见光领域的重大突破。

为了应对这一挑战，英诺赛科推出了具有里程碑意义的100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，它不仅是全球首款实现大规模量产的100V级GaN解决方案，还通过革命性的双面散热封装与优化设计，重新定义了电源系统的性能界限。这款产品为AI服务器及48V基础设施的高效能源转换提供了新的解决方案。

前言近年来，随着人工智能、云计算及高密度电源需求的爆发式增长，功率电子系统对效率、功率密度及热管理的挑战日益严峻。传统硅基MOSFET受限于材料特性，在高压、高频场景下的性能瓶颈逐渐显现。氮化镓（GaN）技术凭借其宽禁带特性、高电子迁移率及低开关损耗 ...

芝能智芯出品英飞凌发布AI数据中心电源装置（PSU）与电池备份单元（BBU）产品路线图，涵盖3kW至全球首款12kW PSU及4kW至12kW ...

国内GaN功率半导体第一股，中国氮化镓公司的上市，代表了GaN功率半导体行业国内企业的分量越来越重； 马斯克去年在接受访问中说过，未来一两年，人工智能（AI）发展的主要瓶颈将是电力供应，而电力供应效率同GaN功率器件的替代率密切相关，是GaN功率器件 ...

英飞凌科技股份公司近日公布新一代AI数据中心电池备份单元（BBU）解决方案路标，确保AI数据中心的不间断运行，避免断电和数据丢失风险。这项全面的 BBU路标包含了从4 kW到全球首款12 kW ...

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全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN™产品GaN HEMT，被先进的日本电子元器件、电池和电源制造商村田制作所Murata Power ...