MOSFET的寄生电容包括栅极-漏极电容 (Cgd ... 由于栅极电流 (IG) 的一部分用于驱动Cgd，VGS会暂时停止增加，形成“米勒平台”。 t4:Vd电压降低为：Id*Rds(on)，MOS开始进入饱和区，此时Vd不再受传输特性限制（与Id有关），并开始自由增加。到达t4时间点，Vg电压达到 ...

在电力驱动技术不断革新的大背景下，合肥同智机电控制技术有限公司近日宣布成功获得一项重要专利。这项专利的名称为“MOS管驱动电压泵升电路”，并于2024年1月申请通过，授权公告号为CN222337486U。该技术的突破不仅是公司技术创新的又一里程碑，也将对行业内相关产品的性能提升和应用场景扩展带来深远影响。