2025年1月25日消息，合肥沛顿存储科技有限公司最近在国家知识产权局申请了一项名为“封装偏移堆叠DRAM结构的方法”的专利（公开号CN119340214A），这一创新将大大降低DRAM芯片的封装难度。随着电子产品对存储容量和速度的要求不断提升，优化封装技术显得尤为重要。而合肥沛顿在这一领域的突破，可能成为行业的一次重要进步。

合肥沛顿成立于2020年，位于合肥市，专注于存储器技术的研究和开发。自成立以来，该公司积极参与各类招投标项目，展现了强大的市场竞争力。目前，合肥沛顿已申请多项专利，涉及多个创新领域，其研究成果有望推动DRAM技术的发展。

因此，尽管三星正致力于在2030年前后推出三维堆叠式DRAM，但4F²架构并不会成为实现这一目标的关键所在。 铁电材料也一直是韩国科学技术院（KAIST）的研究课题。2022年纳米融合会议（Nano Convergence conference）的一篇论文对萤石结构的氧化铪进行了探究，而2024年 ...

2024年12月30日的最新报道指出，三星电子正在进行一项重大战略转型，计划放弃最先进的4F2VCT结构DRAM，转而启动采用常规结构的第8代10纳米级制程DRAM。

因此，鞍鳍型晶体管取代了 S-RCAT，并且其结构仍在早期 10 纳米 DRAM 单元晶体管中得到应用。 Fig. 4 (a) Structure of Saddle-Fin transistor and (b) Iop current gain by ...

IT之家 12 月 30 日消息，韩媒 the bell 当地时间 26 日报道称，三星电子准备启动采用常规结构的 1e nm（IT之家注：即第 8 代 10 纳米级）制程 DRAM，实现先进内存开发多轨化，为未来可能的商业化提供更丰富技术储备。 结合三星前任存储器业务负责人李祯培今年 9 月 ...

韩媒 the bell 当地时间 26 日报道称，三星电子准备启动采用常规结构的 1e nm（即第 8 代 10 纳米级）制程 DRAM，实现先进内存开发多轨化，为未来可能 ...

【8 月 13 日，SK 海力士计划开发 4F2 结构的 DRAM】 SK 海力士表示，自 1cDRAM 商业化以来，极紫外（EUV）工艺成本快速上升。其指出，现在是质疑使用 ...

较早一些发布财报的美光也显露出将结构性减产的动向。 美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在业绩会上进行业务展望时谈到，预计2024年DRAM内存产品 ...