“DRAM技术的不断扩展正在推动使用水平电容器堆栈的3D几何结构，”Vincent说道，“水平方向需要横向蚀刻，这很困难，因为凹槽尺寸差异很大。

而展望未来，不少投资者们都认为，DRAM价格有可能在今年下半年迎来一波上涨。隔壁的NAND已经率先迎来了复苏。行业玩家闪迪已向客户发出涨价函，宣布自下个月起，旗下产品将全面涨价，整体涨幅超10%。无独有偶，美光、三星、SK海力士等NAND厂商也计划将 ...

近期，集邦咨询发布了DRAM市场动态报告，揭示了供应链库存削减的最新进展及未来价格趋势。据报告分析，得益于下游客户的提前出货策略，DRAM供应链的整体库存状况得到有效改善。

在技术创新的浪潮中，合肥沛顿存储科技有限公司于2024年12月成功获得了一项引人注目的专利，名为“高密度垂直堆叠DRAM封装结构、工艺”，授权公告号为CN119364775B。这项技术的获得标志着合肥沛顿在内存技术领域的重要突破，预示着未来在存储解决方案上将会有更加高效的表现。

在具体实现方面，三星LPW DRAM在内存结构上也进行了创新。该技术采用了结合重布线层（RDL）的垂直引线键合方式，取代了传统的引线键合方法。

【8 月 13 日，SK 海力士计划开发 4F2 结构的 DRAM】 SK 海力士表示，自 1cDRAM 商业化以来，极紫外（EUV）工艺成本快速上升。其指出，现在是质疑使用 ...

除了逻辑结构，imec 也成功利用单次曝光，为动态随机存取内存（DRAM）制出把电荷储存节点连接垫（storage node landing pad）与周边位线相互整合的元件 ...