WSF160N10 是一款基于高密度沟槽技术的 N 沟道 MOSFET，专为高功率、高效率场景优化。其关键参数如下： 高电流能力：连续漏极电流（I<sub>D</sub>）达 160A（T<sub>C</sub>=25℃），脉冲电流（I<sub>DM</sub>）400A，适合大功率负载。 超低导通电阻：在 V<sub>GS</sub>=10V 时 ...
En el capítol anterior el conseller de la cosa estava més content que un gínjol. Ja tenia excusa per plantar cara als ...
WSF90N10 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，其独特的设计和卓越的电气性能使其在多个领域展现出广泛的应用潜力。本文将深入探讨该 MOSFET 的功能特性，并结合 3D 打印机这一应用场景，分析其技术优势和市场地 位。 WSF90N10 具备出色的电气参数。其漏源电压（VDS ...
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综上所述，对ACFC的研究让我们对其性能和效率有了重要认识。通过分析 二次整流电路 的设计以及占空比的影响，我们发现，当需要额外的辅助栅极驱动电路时，最小占空比会受到限制。
随着碳化硅(SiC)等新材料的崛起，Mosfet在许多场合已逐渐替代IGBT，其应用前景愈发广阔。 Mosfet，全称Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，即金属氧化物场效应晶体管。其核心结构为金属-SiO2-半导体构成的Mos电容器，通过控制电压来开启或关闭整个器件。
商用的Si MOSFET 耐压普遍不超过900V，而 SiC 拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低 MOSFET 的通态电阻，使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。
在现代汽车电子系统中，栅极驱动正悄然扮演着“隐形英雄”的角色。每一个功率器件背后都有着至少一颗栅极驱动芯片。作为连接低压控制器与高功率电路的桥梁，栅极驱动不仅是功率器件高效运行的“指挥官”，更是提升电动汽车性能、可靠性和能效的关键推手。无论是电机驱动 ...
通过栅极偏压切换三重态激子极化激元（Switching trion - polaritons via gate bias）：研究人员利用栅电极对 MoS?通道中的载流子密度进行电控制。他们的异质结构器件表现出 n 型场效应晶体管（FET）特性，在不同的栅极偏压区域，如电荷中性点、阈值电压以及其他偏压 ...
金融界3月13日消息，有投资者在互动平台向 中瓷电子 提问：碳化硅（SiC）视为替代IGBT的理想方案。自2018年 特斯拉 Model 3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。国内外其它车企例如大众、 宝马 、 福特 、 丰田 、 比亚迪 、 蔚来 等都陆续宣布采用SiC方案。车企间在互相争夺市场客户资源的同时也在争抢供应链资源 ...
Les mandarines són una de les fruites més consumides, especialment a l'hivern, quan el seu sabor dolç i la seva practicitat ...
长晶科技自成立之初，就将技术创新视为企业发展的生命线。公司持续加大研发投入，引进和培养高素质的研发人才，组建了一支实力雄厚的研发团队。截至2024年底，长晶科技已拥有220件授权专利（其中发明专利75件）和97件集成电路布图设计专有权，合计知识产权数 ...
BBVA ha fet un pas més en el seu compromís amb la gastronomia de qualitat. Ho ha fet després de llançar la VI Edició dels ...
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