然而，事情并非如此简单：为了在SiC制造领域站稳脚跟，就必须拥有专门用于SiC的昂贵设备。SiC晶圆的生长温度超过2700℃，生长速度至少比Si慢200倍，这就需要大量的能量。另一方面，GaN在很大程度上可以使用与Si半导体制程相同的设备，GaN外延 ...

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BelGaN于2024年7月申请破产保护，并在破产拍卖中吸引了多家潜在收购方的兴趣，包括中国公司和瑞典-芬兰财团等。BelGaN的破产拍卖于2025年1月16日完成，拍卖筹集了约2300万欧元的资金，其中三分之一的资产被中国企业收购 ...

2025年1月13日，中国上海——1134 5万辆*，这是2024年1-11月国内新能源汽车总产量，再创历史新高。行驶在高速公路上的新能源 ...

针对电机节能，ST提供宽功率段的高性能MOSFET、IGBT及智能驱动芯片，借助数字控制和先进封装技术实现最高可达20%的节能率，广泛应用于工业电机、家电和电动工具等高能耗领域，推动能源效率革命。

中国科学院院士、复旦大学副校长、现代物理研究所马余刚教授获“科学与技术进步奖”，马余刚院士深耕中高能核物理研究，取得了一系列具有重要国际影响的成果，推动中国高能核物理实验队伍进入国际前沿领域。