然而，事情并非如此简单：为了在SiC制造领域站稳脚跟，就必须拥有专门用于SiC的昂贵设备。SiC晶圆的生长温度超过2700℃，生长速度至少比Si慢200倍，这就需要大量的能量。另一方面，GaN在很大程度上可以使用与Si半导体制程相同的设备，GaN外延 ...

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射频功放芯片通常由多种功能模块组成，包括输入匹配网络、功率放大器主体、输出匹配网络以及保护电路等。这些模块共同协作，将输入的射频信号进行放大，并输出到天线端。在放大过程中，射频功放芯片需要保持高效率、低失真和低噪声等特性，以确保通信系统的稳定性和可靠性。射频功放芯片核心参数包括增益、带宽、转换率、效率、线性度、最大输出功率、输出输入阻抗等，众多平衡的性能指标非常考验设计能力。

BelGaN于2024年7月申请破产保护，并在破产拍卖中吸引了多家潜在收购方的兴趣，包括中国公司和瑞典-芬兰财团等。BelGaN的破产拍卖于2025年1月16日完成，拍卖筹集了约2300万欧元的资金，其中三分之一的资产被中国企业收购 ...

近二十年来，人们已经清楚地认识到，受摩尔定律启发的纯尺寸缩放不再是预测 CMOS技术节点演进的唯一指标 ... 就像在 GAA 纳米片晶体管中一样，栅极（现在为 n 和 p 所共有）完全包裹在 Si 沟道周围和之间，确保最大程度的静电控制。 但最终，即使在 CFET ...

英特尔展示的6nm RibbonFET CMOS技术基于全环绕栅结构 ... 随着摩尔定律的推进，传统Si FinFET结构逐渐接近其物理缩放极限，而水平环栅（GAA）Ribbon ...

2025年1月13日，中国上海——1134 5万辆*，这是2024年1-11月国内新能源汽车总产量，再创历史新高。行驶在高速公路上的新能源 ...

粘接资讯消息:1月2日，商务部就《中国禁止出口限制出口技术目录》修订公开征求意见。 而本次《目录》也进行较大幅度删减，细化部分技术条目控制要点，修订后为132项，其中禁止出口技术23项，限制出口技术109项。

（原标题：荣耀不断！贺利氏光伏蝉联2024年度最具影响力光伏辅材企业奖） 2024年12月26日，由碳索·光伏、索比·光伏主办的第六届“碳索”企业家跨年分享会暨2024年度第十二届“光能杯”光伏行业颁奖盛典在苏州如期举行。 本届“光能杯”共有300余家光伏企业 ...

中国科学院院士、复旦大学副校长、现代物理研究所马余刚教授获“科学与技术进步奖”，马余刚院士深耕中高能核物理研究，取得了一系列具有重要国际影响的成果，推动中国高能核物理实验队伍进入国际前沿领域。

英特尔的技术状态与发展动态 英特尔展示的6nm RibbonFET CMOS技术采用了全环绕 ... 成为解决传统Si FinFET结构接近物理极限的关键所在。通过开发单纳米 ...