据韩国 Money Today 报道，SK hynix 目前正在开发 LPDDR5 的另一种变体。 这家 DRAM 和闪存芯片的大型供应商公开披露了其 LPDDR5 Turbo (T) 设计，该设计可追溯到 2023 年底，该迭代产品被宣传为"世界上最快的移动存储器标准"。LPDDR5T (10533) 的首次公开演示是在去年二月的 IEEE 固态电路大会上进行的。 目前，人们熟悉的 LPDDR5 ...

根据TechInsights微信公众号的最新报告，预计到2027年底，DRAM技术将首次达到个位数纳米技术节点，这一具有里程碑意义的进展将由SK海力士首发D1c代产品引领。该报告指出，从2025年第一季度开始，市场上即将推出D1c的部分产品，预计D1c世代将在2026年和2027年成为 ...

随着DRAM内存芯片价格持续走低，业内三大原厂——三星、SK海力士和美光——计划在2025年内逐步停止DDR4内存的生产。 尽管DDR3内存仍有一定市场，但三大原厂已于去年底开始停产这一型号。 虽然DDR5已成为主流，但DDR4并未完全被淘汰，尤其是在行业领域。

IT之家2 月 25 日消息，美光科技刚刚宣布，已向生态系统合作伙伴及部分客户提供基于 1γ 节点、第六代（IT之家注：即 10nm 级）DRAM 节点的 DDR5 内存样品。 据介绍，基于 1γ 节点的 16Gb DDR5 产品 DDR5 内存速度可达 9200MT/s，较上一代提升 15%，可满足数据中心、端侧 ...

1γ制造工艺是美光首次采用EUV技术的工艺，相比之下，头部的三家存储大厂中，三星和SK海力士都投资了EUV光刻机，并早早的享受了降低成本的好处。 三星在EUV工艺方面占据优势，它是业内首批成功将EUV工艺应用于DRAM生产的公司之一，而且是在14nm工艺开始就用 ...

1γ 制造工艺是美光首次采用EUV技术的工艺，相比之下，头部的三家存储大厂中，三星和 SK 海力士都投资了EUV光刻机，并早早的享受了降低成本的好处。 三星在 EUV工艺方面占据优势，它是业内首批成功将EUV工艺应用于DRAM生产的公司之一，而且是在14nm工艺开始就 ...

此外，与上一代DRAM工艺相比，14纳米工艺可帮助降低近20%的功耗。 SK海力士于2021年开始将EUV应用于其10纳米级第四代DRAM，使用了1层EUV，目前在其 ...

（图片来源：美光） 1γ 制造工艺是美光首次采用EUV技术的工艺，相比之下，头部的三家存储大厂中，三星和 SK 海力士都投资了EUV光刻机，并早早的享受了降低成本的好处。 三星在 EUV工艺方面占据优势，它是业内首批成功将EUV工艺应用于DRAM生产的公司 ...