众所周知，HBM的原理像是利用DRAM在叠高高，这种办法成本高昂，并且增加堆栈数量虽可部分解决容量问题，但会引发芯片边缘空间限制、堆栈高度和经济可行性等一系列新问题。由于引脚和走线需求，HBM堆叠数量受芯片边缘长度限制，通常每侧最多3-4个堆叠，且受标线极限（约800mm2）制约。 在接口方面，可见下图，HBM 是集成在 XPU 中的关键组件，使用先进的 2.5D 封装技术和高速行业标准接口。然而 ...
如果说Blackwell Ultra是战术性过渡，那么2026年的Rubin GPU则是英伟达的战略重拳。以天文学家Vera Rubin命名的这款GPU，推理速度将达50 petaflops（比Blackwell的20 petaflops高出一倍多），配备288 GB HBM4内存。
人工智能和高性能计算需求的迅猛增长，高带宽存储器（HBM）技术已成为DRAM产业的核心焦点。 混合键合（Hybrid Bonding, HB）技术作为一种新型芯片 ...
碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，凭借其优异的物理特性，在新能源汽车、光伏储能和5G通信等领域展现出广阔的应用前景。 2024年，国内 ...
近日，汉朔科技股份有限公司正式在创业板挂牌上市，其首次公开发行价格定为每股27.5元，上市首日股价大幅上涨187%，市值一度突破300亿元人民币。
韩国Wellang-DT3100芯片是专为LED照明设计的浮动电流驱动IC，采用SOT-89-3L封装，具备高集成度与灵活性；为替换白炽灯泡和线性荧光灯提供了高效方案 ...
北方华创与芯源微的整合，标志着国产半导体装备产业进入规模化、集约化发展新阶段。业内人士指出，企业发展成熟后通过并购来整合资源、提升市场占有率是半导体产业发展的必然趋势，也是中国半导体企业走向世界所必不可少的步骤。
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